Memoria ram notebook ddr4 4gb kingston 2666 mhz
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A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a DDR4.
Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.
Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS
|
|
Taxa |
Classificação módulos |
Largura máx. banda |
|
DDR4 (1.2V) DDR4L (1.1V) |
2133 |
DDR4-2133 |
17000 MB/s or 17 GB/s |
|
2400 |
DDR4-2400 |
19200 MB/s or 19.2 GB/s |
|
|
2667 |
DDR4-2667 |
21300 MB/s or 21.3 GB/s |
|
|
3200 |
DDR4-3200 |
25600 MB/s or 25.6 GB/s |
|
Descrição |
DDR4 |
Vantagens |
|
Chip Densities |
4Gb – 16Gb |
Larger DIMM Capacities |
|
Data Rates |
1600Mb/s – 3200Mb/s |
Migration to Higher-Speed I/O |
|
Voltage |
1.2V |
Reduced Memory Power Demand |
|
Low Voltage Standard |
Anticipated at 1.1V |
Memory Power Reductions |
|
Internal Banks |
16 |
More Banks |
|
Bank Groups (BG) |
4 |
Faster Burst Accesses |
|
VREF inputs |
1 – CMD/ADDR |
VREFDQ Now Internal |
|
tCK – DLL Enabled |
667MHz – 1.6GHz |
Higher Data Rates |
|
tCK – DLL Disabled |
Undefined to 125MHz |
DLL-off now fully supported |
|
Read Latency |
AL + CL |
Expanded Values |
|
Write Latency |
AL + CWL |
Expanded Values |
|
DQ Driver (ALT) |
48 Ω |
Optimal for PtP pplications |
|
DQ Bus |
POD12 |
Less I/O Noise and Power |
|
RTT Values (in Ω) |
240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 |
Support for Higher Data Rates |
|
RTT Not Allowed |
Disables during Read Bursts |
Ease-of-Use |
|
ODT Modes |
Nominal, Dynamic, Park |
Add’l Control Mode; OTF Value Change |
|
ODT Control |
ODT Signaling NOT Required |
Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps |
|
Multi-Purpose Register |
Four Registers – 3 Defined, 1 RFU |
Provides Additional Specialty Readout |
|
DIMM Types |
RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM |
|
|
DIMM Pins |
288 (R, LR, U); 260 (SODIMM) |
|
|
RAS |
CRC, Parity, Addressability, GDM |
More RAS Features, Improved Data Integrity |
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